国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“用于晶体管栅极堆叠的牺牲多晶硅和退火”的专利，公开号CN121419226A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开涉及用于晶体管栅极堆叠的牺牲多晶硅和退火。各种应用可包含具有经减小栅极堆叠的晶体管，所述经减小栅极堆叠包含经调节以实现所述栅极堆叠的所需有效功函数的功函数栅极金属，其中所述栅极堆叠被构造成不具有多晶硅区。所述有效功函数可以通过在制造工艺流程中进行调谐以实现接近具有多晶硅区的晶体管的栅极堆叠的有效功函数的有效功函数来产生。所述经调节金属栅极可以通过以下操作来产生：在所述金属栅极上形成多晶硅，对所述多晶硅和金属栅极退火，并去除所述多晶硅。在用于在存储器装置的存储器阵列区的周边形成此类晶体管的集成工艺流程中，用于所述周边的所述晶体管的所述栅极堆叠的金属接触区的材料可用于所述存储器阵列区的存储器单元的金属数字线。构造在不具有多晶硅的所述栅极金属上直接具有金属触点的金属接触区可以降低重叠电容和栅极电阻，从而可以改进所述存储器装置的交流电性能和操作速度。在所述栅极堆叠中未维持有多晶硅的集成流可以使得周边区的台阶高度减小相对于阵列区有所改善，从而可以提高产量并降低成本。

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作者：情报员