国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“半导体器件和电子设备”的专利，公开号CN121419279A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件和电子设备。其中，该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和欧姆电极。沟道层位于衬底的一侧；势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；钝化层位于势垒层远离沟道层的一侧，钝化层设有至少一个第一通孔，第一通孔暴露出势垒层的部分表面，同一第一通孔包括至少两个间隔设置的子通孔区域，间隔设置的子通孔区域之间填充有部分钝化层；欧姆电极位于钝化层远离势垒层的一侧，欧姆电极包括位于钝化层远离势垒层一侧的主体结构以及与主体结构朝向钝化层一侧表面连接的至少一个凸起结构，每一凸起结构位于一个第一通孔内并与势垒层接触，各凸起部的底面基本呈平面。可实现，降低接触电阻。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息278条，此外企业还拥有行政许可51个。

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作者：情报员