最近的晶圆厂公告凸显了制造商如何将长期路线图转化为实际产能。
在过去几周里，德州仪器、安森美半导体、IonQ 和美光科技都在推进重大制造计划，包括新晶圆厂投产、工艺合作、垂直整合和新建工厂。
这些公告包括德州仪器在其位于德克萨斯州谢尔曼的工厂开始生产300毫米晶圆，以及美光在新加坡破土动工建设一座新的先进NAND闪存工厂。安森美半导体和格罗方德也在氮化镓功率器件领域展开合作，而IonQ正计划收购美国晶圆代工厂运营商Skywater Technology。
德州仪器开始生产300毫米芯片
德州仪器位于德克萨斯州谢尔曼市的巨型芯片制造基地，其规划中的四座300毫米晶圆厂中的第一座——SM1晶圆厂已正式投产，标志着该项目从建设阶段过渡到批量生产阶段。该公司表示，该晶圆厂已开始向客户发货，并计划随着产能的逐步提升，最终达到每日数千万颗芯片的产能。
位于谢尔曼的工厂是德州仪器 (TI) 长期制造战略的核心。该公司已在美国的晶圆厂投资超过 600 亿美元，其中仅谢尔曼工厂就投资高达 400 亿美元。SM1 工厂专注于 300 毫米模拟和嵌入式处理。预计谢尔曼工厂生产的器件将涵盖德州仪器 (TI) 的核心产品组合：电源管理 IC、信号链器件、微控制器和混合信号组件，广泛应用于工业自动化、汽车电子和基础设施设备等领域。将这些产品转移到 300 毫米晶圆上，可以降低单芯片成本，并使 TI 能够在客户重视产品寿命和可预测供货的市场中更好地控制供应。
安森美半导体和格罗方德在200毫米氮化镓功率器件方面达成合作
安森美半导体（Onsemi）和格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）宣布建立合作伙伴关系，共同开发下一代氮化镓（GaN）功率器件，首款产品是基于GF的200毫米增强型硅基氮化镓工艺制造的650V横向氮化镓器件。两家公司预计将于2026年上半年向客户提供样品。
该协议为安森美半导体(Onsemi)的宽禁带器件产品组合增添了一条由代工厂支持的制造路径，是对其内部碳化硅(SiC)投资的有力补充。同时，对于格罗方德(GlobalFoundries)而言，随着越来越多的客户寻求硅MOSFET以外的效率提升方案，该协议推进了其差异化的特种工艺产品供应。采用200毫米晶圆是关键所在，它使氮化镓(GaN)能够受益于成熟的硅工艺设备和比150毫米生产线更高的产能，从而降低成本并提高可扩展性。
合作伙伴将首批 650V 器件的目标应用领域定为高效电源转换。数据中心电源、人工智能加速器机架、电信基础设施以及某些汽车系统都将受益于氮化镓 (GaN) 更高的开关速度和更低的损耗。随着这些系统功率密度的提升，横向氮化镓为设计人员提供了一种无需升级电压等级即可缩小磁性元件尺寸并提高整体效率的方法。
氮化镓（GaN）已展现出其优势，但稳定、高良率的制造仍然是其广泛应用的一大障碍。安森美半导体（Onsemi）和格罗方德（GlobalFoundries）正致力于在成熟的200毫米平台上进行研发，力图使氮化镓从一种小众解决方案，发展成为一种可重复、可量产的功率器件技术。
IonQ将与Skywater Technology进行垂直整合
IonQ收购 Skywater Technology的交易不同寻常，因为它将一家量子计算公司直接带入了半导体制造行业。这笔价值约 18 亿美元的交易将使 IonQ 拥有一家位于美国的晶圆代工厂。
量子硬件的开发不仅受量子比特设计的限制，还受到迭代速度、良率学习和封装集成等方面的制约。通过收购 Skywater，IonQ 可以直接获得制造、工艺开发和先进封装方面的资源，无需像以往那样因与外部代工厂协商周期而延误。Skywater 将继续作为子公司运营，服务现有客户，同时支持 IonQ 的内部发展路线图。
Skywater 的设施支持特殊工艺、异构集成和安全制造，所有这些都与 IonQ 的囚禁离子架构和容错量子处理器的长期规划相契合。IonQ 已将此次收购与一系列目标挂钩，例如到 2028 年完成 20 万量子比特系统的功能测试。受影响的行业包括政府、国防和研究部门，这些部门需要值得信赖的国内制造企业来生产先进的计算硬件。更广泛地说，这项交易凸显了新兴的计算范式可能需要垂直整合的制造模式，因为传统的代工经济模式无法满足小批量、高复杂度器件的需求。
美光在新加坡破土动工建设先进NAND闪存工厂
美光科技已在新加坡破土动工兴建一座全新的先进晶圆制造厂，初期建设投资70亿美元，包括设备在内，总投资额最高可达240亿美元。该公司预计该工厂将于2028年下半年开始生产NAND晶圆。
新加坡数十年来一直是美光制造布局的基石，而这座新工厂进一步巩固了其在先进NAND闪存领域的重要作用。尽管美光已在美国扩大了存储器生产规模，但对新加坡的投资表明，尖端存储器仍然在全球范围内分布。
该晶圆厂将生产先进的NAND闪存，为数据中心、企业系统和消费电子设备提供固态存储解决方案。随着人工智能工作负载推动对高容量、高耐久性存储的需求，NAND闪存仍然是存储器层级结构中DRAM和HBM的重要补充。
通过提前数年投入资金，美光科技正利用现代化工具和更高的位密度来应对未来的需求高峰。对于美光科技在云计算、汽车和工业市场的客户而言，这意味着随着系统需求的增长，先进的非易失性存储器将得到持续稳定的供应。
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