国家知识产权局信息显示，江苏芯长征微电子集团股份有限公司取得一项名为“一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块”的专利，授权公告号CN223859529U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种超窄台面沟槽IGBT器件及功率模块。该器件包括半导体层、有源区及接触孔单元。半导体层包括第一导电类型掺杂层。有源区位于半导体层中，包括至少一元胞。元胞包括贯穿第一导电类型掺杂层的至少一第一沟槽栅及第二沟槽栅，相邻的第一沟槽栅及第二沟槽栅之间具有第二导电类型掺杂区及第一导电类型接触区，第二导电类型掺杂区与第一沟槽栅邻接，第一导电类型接触区与第二沟槽栅邻接。接触孔单元包括贯穿第一导电类型掺杂层的一部分的多个第一电极接触孔，第一导电类型接触区位于第一电极接触孔底部。该器件具有较低导通压降及较高功率密度，且可靠性有所保证。该功率模块具有多个并联连接的该器件，具有高功率密度及高可靠性。

天眼查资料显示，江苏芯长征微电子集团股份有限公司，成立于2017年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41779.5533万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯长征微电子集团股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可18个。

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作者：情报员