国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121419232A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个存储单元晶体管，每一存储单元晶体管包括：纳米片组，纳米片组包括多个间隔排布且沿第一方向延伸的纳米片，纳米片包括沟道区；栅极层，覆盖纳米片组的多个沟道区；第一方向与衬底的表面平行；多个数据存储元件，沿第一方向位于纳米片组的一侧，每一数据存储元件与一个存储单元晶体管的多个纳米片电连接。

天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息25条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员