国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法”的专利，公开号CN121443032A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法，该装置包括：第一测量单元，被配置为用于在薄膜沉积工艺之前，测量半导体晶圆的预沉积翘曲度；第二测量单元，被配置为用于在所述薄膜沉积工艺之后，测量所述半导体晶圆的后沉积翘曲度；以及处理器，与所述第一测量单元和所述第二测量单元进行通信连接，所述处理器被配置为基于所述预沉积翘曲度和所述后沉积翘曲度的测量值计算翘曲度变化量，并且被配置为通过将所计算的翘曲度变化量与为正常生长状态所预设的范围进行比较，将所述半导体晶圆上的薄膜的生长状态分类为多个预定义状态中的一个。

天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目7次，专利信息1505条，此外企业还拥有行政许可24个。

西安奕斯伟硅片技术有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本660000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟硅片技术有限公司参与招投标项目385次，专利信息1038条，此外企业还拥有行政许可53个。

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作者：情报员