文：朴晋泽 郭楚妤
编辑：侯煜
AI 算力需求爆发，正推动全球存储芯片行业进入超级上行周期。
韩国双雄三星电子（005930.KS/SSNLF）与 SK 海力士（000660.KS/ HXSCF）业绩与股价双双刷新历史纪录，行业盈利格局迎来历史性重构，二者凭借核心技术与产能优势稳居全球存储行业头部阵营，成为本轮行业上行周期的核心引领者。
高带宽存储器（HBM，专为 AI 服务器设计的超高传输速度存储组件）与通用型存储器量价齐升，韩国巨头凭借高端市场的垄断地位攫取核心利润，而中国存储产业链企业则依托本土化替代、供应链配套与差异化竞争策略，在全球产业格局中打开专属的红利窗口。
韩国存储双雄业绩大涨，海力士盈利能力超三星
AI 存储浪潮下，韩国存储双雄的盈利能力迎来历史性爆发。
2025 年三星电子全年业绩创历史新高，营收 333.6059 万亿韩元、营业利润 43.6011 万亿韩元、净利润 45.2068 万亿韩元，同比分别增长 10.9%、33.2%、31.2%。
四季度业绩表现尤为亮眼，营收 93.8374 万亿韩元，营业利润 20.0737 万亿韩元，同比暴增 209.2%。四季度营业利润占全年营业利润的 46.0%。
业绩的核心支撑来自半导体业务，DS 部门是三星电子半导体业务的核心载体，涵盖存储、系统 LSI、晶圆代工三大板块，其中存储业务贡献 DS 部门 90% 以上利润；该部门营收、营业利润分别占三星电子四季度整体的 46.9%、81.7%，是业绩增长的绝对核心。
业绩暴涨的背后，源于 HBM 等高附加值产品销量大幅扩容，叠加通用型存储器价格显著上行的双重驱动。
服务器用高端 DDR5 内存、企业级固态硬盘（SSD）等高附加值产品需求持续走高，推动其半导体业务盈利水平进一步攀升。
同为韩国存储巨头的 SK 海力士，2025 年第四季度营收 32.827 万亿韩元，营业利润 19.170 万亿韩元，单季业绩再破纪录，盈利水平跻身行业顶尖行列。
2025 年业绩同样全线创历史新高，据公司官方披露的财报数据，全年实现营收 97.147 万亿韩元、营业利润 47.206 万亿韩元、净利润 42.948 万亿韩元。
值得注意的是，海力士全年营收仅为三星电子30%，但全年的的营业利润超越三星电子（三星营业利润 43.6011 万亿韩元）。海力士净利润率高达44%，相比之下三星电子的净利润率只有13.5%。横向比对可见，海力士的吸金能力极为强悍。
韩国双雄的业绩表现，直观印证了本轮存储周期的红利厚度。
资本市场亦给出直接反馈，过去半年，三星电子股价涨幅超 120%，SK 海力士股价涨幅飙升至 228% 以上，股价表现与业绩增速形成强劲共振，成为全球资本市场的核心追捧标的。
二者在核心的 HBM 市场布局均具备强竞争力。
SK 海力士拿下英伟达 Blackwell 平台超 80% 的 HBM3E/HBM4 订单，成为该平台核心供应商。
三星电子 2025 年四季度已实现 HBM4 小批量试产，计划 2026 年 Q1 正式大规模量产交付，且产能已被客户全额预订，公司设定 2026 年 HBM 产品销量较 2025 年提升 3 倍以上的目标，持续巩固高端市场地位。
两家企业在收获业绩与市值双重增长的同时，共同主导着 AI 存储时代的行业发展方向。
垄断全球约 79% HBM 市场，双雄十年磨一剑
韩国存储巨头能占据本轮 AI 存储周期的核心红利，并非偶然，而是数十年持续技术储备、精准产能布局与产业链卡位的必然结果，其盈利逻辑与英伟达等 AI 算力龙头形成鲜明互补，二者分别占据 AI 产业链的核心环节，共同构筑起行业的核心壁垒。
理解存储周期的红利，需先厘清存储芯片的核心分类与行业竞争基本盘：存储芯片是各类电子设备的核心数据存储组件，核心分为 DRAM 和 NAND 闪存两大品类，二者均划分通用型与高端专用型细分赛道，具体分类如下：
1.DRAM 品类：分为通用型与高端专用型
o 通用型包含消费级 DDR4、入门级 DDR5，广泛应用于手机、家用电脑等终端；
o 高端专用型以 HBM（高带宽堆叠式 DRAM）、服务器级高端 DDR5 为核心，前者专为 AI 服务器设计，通过堆叠封装实现超高传输速度与存储带宽，是 AI 模型训练、推理的刚需核心组件，后者适配高端 AI 服务器，二者均为本次存储周期的核心增量产品。
2.NAND 闪存品类：同样分为通用型与高端专用型
o通用型包含消费级 SSD、UFS 手机闪存等；
o高端专用型以企业级 SSD 为核心，主要应用于数据中心、AI 服务器等场景，是存储行业的高附加值核心赛道。
三星电子与 SK 海力士早年间便将存储芯片定为核心赛道并持续加码研发，尤其在 HBM 的堆叠封装、铜混合键合、高速接口等核心技术领域，长期保持高研发投入，形成了深厚的技术积淀。
SK 海力士凭借在先进封装领域的技术优势，2025 年 5 月实现全球首批 HBM4 样品出货，在高端 HBM 的量产技术和经验上形成高壁垒；三星电子则快速跟进，成功掌握 HBM4 的 12 层堆叠封装技术并交付铜混合键合样品，其 16 层堆叠封装技术目前处于实验室研发阶段，技术竞争力持续强化。
据市场研究机构 Counterpoint Research 的数据，2025 年第三季度全球 HBM 市场的营收份额中，SK 海力士占据 57% 的主导份额，三星电子拿下 22%，美光科技占比 21%，三家企业合计占据全球近 100% 的 HBM 市场，其中三星与 SK 海力士合计占比约 79%，形成绝对垄断格局，核心技术壁垒让其他企业短期内难以突破。
在技术优势的基础上，韩企通过精准的产能调整策略，将技术壁垒转化为实际盈利优势。此处的 “先进产能” 特指存储行业 1α/1β 制程 DRAM、19nm 及以下制程 NAND，面对 AI 存储带来的高端需求爆发，三星与 SK 海力士均做出明确的产能倾斜，将 50%-60% 的先进产能集中投向 HBM、服务器级高端 DDR5、企业级 SSD 等高端 AI 存储产品，同时主动压缩中低端通用型存储的产能。
这一操作造就了双重市场红利：一方面，全球 AI 服务器需求爆发推高 HBM 需求，产能高度集中形成 30%-40% 的供需缺口，推动 HBM 产品量价齐升；另一方面，中低端通用型存储器因产能收缩出现供给缺口，价格同步显著上行。
两家企业的盈利逻辑高度一致，依托 “高端产品赚溢价、通用产品赚涨价” 的双重模式，推动利润水平持续攀升。
其中 SK 海力士 2025 年 DRAM 业务中，HBM 销售额较 2024 年增长超一倍，成为公司业绩创历史纪录的核心引擎。
与英伟达互补卡位，分食 AI 产业链核心利润
韩国存储巨头的盈利逻辑，与英伟达等 AI 算力龙头形成鲜明的产业链互补，二者虽赛道不同，但均占据 AI 产业链利润最丰厚的核心环节。
英伟达以 GPU 芯片构筑 AI 算力壁垒，作为 AI 产业链的 “运算核心”，负责海量数据的高速处理与模型运算，凭借技术垄断实现毛利率攀升至 72%；三星电子、SK 海力士的存储核心业务则以 HBM、高端存储为核心，成为 AI 产业链的 “存储核心”，承担 AI 运算所需海量数据的存储与高速传输功能，其存储核心业务毛利率稳定在 63%-67%。
二者作为 AI 产业的 “发动机” 与 “超级蓄水池”，形成产业协同，共同分食 AI 产业链的核心利润。
不与韩企硬碰硬，中企锚定差异化赛道
韩国巨头垄断高端 HBM 市场，并不代表中国企业在本轮存储周期中无利可图。相反，依托庞大的本土市场优势、逐步完善的产业链配套能力与清晰的差异化竞争策略，中国存储产业链企业正收获多重确定性红利，从核心芯片的本土化替代到上下游配套环节的订单增长，正逐步在全球存储产业链中确立自身定位。
面对韩企在高端 HBM 市场的绝对优势，中国企业未进行盲目正面竞争，而是结合自身优势锚定赛道、错位发展，与韩国巨头形成产业链互补，在本土市场构筑起不可替代的竞争优势，芯片企业与设备 / 封测企业的布局方向各有侧重：
·存储芯片领域，中国企业聚焦推理侧与端侧 AI 存储市场，重点布局 AIPC、AI 手机、智能硬件等终端所需的 LPDDR5X、UFS 4.0 等中高端通用型存储产品，深度绑定小米、华为、荣耀等本土终端品牌，提供定制化存储解决方案，避开高端 HBM 市场的直接竞争；
·数据中心领域，中国芯片企业采取分级存储发展路线，韩企高端存储产品负责热数据（高频使用、需要快速读写的核心数据）的存储与处理，国产存储产品主攻冷数据（低频使用、备份类数据）的存储，形成 “韩企高端 + 国产中低端” 的搭配模式，有效降低国内云厂商与企业的数据中心建设成本，实现产业链生态互补；
·设备与封测领域，中国配套企业实现全赛道覆盖，同步对接国内芯片企业的国产替代需求与韩国存储巨头的扩产需求。其中，国产半导体设备企业正加速布局 HBM 领域，在刻蚀、沉积、键合、检测等核心环节实现技术从 0 到 1 的突破，盛美上海、北方华创、拓荆科技等企业已推出多款适配 HBM 工艺的设备，打破海外设备的垄断格局。
需明确的是，HBM 核心设备分为键合机、研磨机、检测设备、刻蚀机，据中国半导体行业协会（CSIA）2025 年三季度数据，刻蚀 / 清洗设备在 HBM 工艺中的国产化率约 5%-8%，键合机 / 研磨机国产化率不足 5%，整体 HBM 关键设备端国产化率约 3%-5%，这一技术短板成为国产设备商的核心突破方向，对应的市场成长空间显著。
买不到韩企股票，如何分享周期红利
三星电子、SK 海力士的股价在本轮周期中大幅攀升，但受韩国股市交易门槛、地域限制、外汇兑换等因素影响，普通中国投资者难以直接参与。
而依托本轮存储周期的行业红利，A 股市场的存储产业链企业迎来发展机遇。
更为重要的是，中国存储产业正处于技术突破、产能扩张、市场份额提升的关键阶段，其长期价值源于自身的发展潜力与行业红利，而非对海外企业的简单替代。
本轮存储行业周期中，芯片配套、设备材料、封测模组等多个核心环节企业迎来发展机会，各环节的产业逻辑与发展潜力各有侧重：
·核心配套芯片企业
作为存储产业链的核心组成部分，这类企业产品直接对接高端存储的配套需求，具备较高的技术壁垒，业务增长具备强确定性。其核心业务可承接 AI 存储设备的核心配套需求，同时依托国产替代推进及行业量价齐升的产业趋势，业务空间与产业地位有望同步提升。
·半导体设备与材料企业
这类企业是存储芯片实现规模化量产的基础支撑，业务发展与行业产能扩张深度绑定。一方面可对接三星、SK 海力士等韩国存储巨头的扩产需求，另一方面可承接国内存储企业推进国产替代过程中的产能建设需求，业务订单增长具备双重支撑。尤其在 HBM 设备国产化进程加速的行业背景下，相关企业正迎来技术突破与订单落地的双重发展契机。
·封测与模组企业
这类企业主要承担存储芯片的封测、模组封装等环节，业务发展与存储芯片行业景气度高度相关，具备较强的业务弹性。随着存储芯片行业量价齐升及韩国企业产能外溢，这类企业的业务需求稳步提升；同时，AI 存储产品封装需求的持续增长，推动其产能利用率与盈利水平同步改善。
本轮存储行业的增长浪潮，是全球产业链协同发展的结果，并非单一区域企业的独角戏。对中国存储企业而言，当前的行业发展阶段，不仅带动短期业务订单与经营效益的提升，更是企业积累核心技术、完善产业链布局、拓展全球市场的关键窗口期。
未来，随着 AI 算力需求的持续升级，存储芯片的技术迭代速度与产业链重构进程将持续推进。国产存储企业若能把握技术研发与市场布局的关键节点，将逐步实现从产业链 “配套者” 向 “核心参与者” 的转型，进一步提升中国存储产业在全球市场的话语权。
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