高像素分辨率是下一代量子点发光二极管（QLED）显示技术的核心需求。尽管量子点图案化技术已有所进展，但像素尺寸的减小常导致发光效率降低和图案均匀性下降。
本文天津工业大学杨帆、福州大学李福山和中国科学院合肥物质科学研究院李越等人开发了一种基于纳米孔阵列模具的纳米压印策略，通过毛细作用诱导量子点自组装，制备出纳米级QLED。我们实现了像素尺寸小于100纳米、像素密度高达169,333 PPI的超高分辨率图案，发光面积达4 mm²。得益于紧密堆积的单层量子点发光层，我们的纳米QLED在像素尺寸减小时性能下降极小。值得注意的是，最小的红、绿、蓝色纳米QLED分别保持了17.0%、10.5%和5.7%的平均外量子效率。
我们还在柔性衬底上实现了制备，并通过在薄膜晶体管背板上压印微米QLED展示了100×180像素的有源矩阵显示器，能够呈现图像与视频。本工作为制备具有高外量子效率的超高分辨率纳米QLED阵列提供了有力方法。
研究亮点：
超高分辨率与极小像素尺寸：实现了像素密度高达169,333 PPI、像素尺寸小于100纳米的QLED阵列，突破了传统QLED图案化技术的分辨率极限（通常低于40,000 PPI）。
高效发光层结构：通过毛细自组装形成紧密堆积的量子点单层，显著减少了非辐射复合，使红色纳米QLED在169,333 PPI下仍保持17.0%的高外量子效率。
柔性集成与显示应用：成功在柔性PET衬底上制备高性能纳米QLED，并集成到有源矩阵TFT背板中，实现了可动态显示图像与视频的微米级QLED显示屏，展示了其在增强现实、虚拟现实等下一代显示技术中的潜力。
Cao, W., Tian, S., Zhong, C. et al. Ultrahigh-resolution nanoimprint patterning of quantum-dot light-emitting diodes via capillary self-assembly. Nat. Photon. (2026).
https://doi.org/10.1038/s41566-025-01836-5
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