国家知识产权局信息显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司申请一项名为“一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法”的专利，公开号CN121432743A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法，包括：形成自下而上层叠的第一衬底、第一包层、波导芯和第二包层；波导芯上方的第二包层的厚度大于第一包层的厚度；在第二包层上表面开口形成若干个电极金属沉积槽；沉积初始电极层，采用化学机械抛光工艺形成电极层；形成第三包层并与包含第二衬底的第二晶圆键合在一起，去除第一衬底；将电光材料膜层键合至第一包层背向波导芯的一侧表面；电光材料膜层至少与部分波导芯相对应；第一包层作为电光材料膜层和波导芯之间的层间耦合层，本发明可以扩大对金属电极CMP的工艺控制窗口，避免波导芯损伤，精确地控制层间耦合层的厚度，提高电光调制器件的性能。

天眼查资料显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司专利信息53条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员