根-吉立方公司申请离子传导膜及其制造方法专利,可用于制造用于低温电解的无孔膜
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国家知识产权局信息显示,根-吉立方公司申请一项名为“离子传导膜、制造此类膜的方法、包括此类膜的电化学电解槽以及包括此类电解槽的设备”的专利,公开号CN121443778A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,本发明涉及用于电化学装置的离子传导膜(10),所述膜包括包含以下材料的层:‑ 5重量%至30重量%的聚合物黏结剂,和‑ 70重量%至95重量%的陶瓷粉末,所述陶瓷粉末包含掺杂氧化钇的陶瓷和/或掺杂氧化铈的陶瓷。本发明可被用于制造用于低温电解(0℃至150℃)的无孔膜。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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