国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121442702A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，提供了一种包括高集成存储单元的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法可以包括：在衬底上形成第一结合电介质层，在牺牲衬底上顺序地形成模塑堆叠、阻挡层和第二结合电介质层以创建堆叠结构，翻转包括所述牺牲衬底的堆叠结构，将第一结合电介质和第二结合电介质层结合，从堆叠结构中去除牺牲衬底，以及利用阻挡层作为阻障形成在堆叠结构的模塑堆叠中垂直堆叠的多个存储单元。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员