国家知识产权局信息显示，索尼集团公司申请一项名为“半导体器件、半导体模块和无线通信装置”的专利，公开号CN121444611A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，按照本公开的一个实施例的半导体器件包括：衬底；沟道层，所述沟道层包括设置在所述衬底的一个表面上的第一氮化物半导体；势垒层，所述势垒层包括设置在所述沟道层的与所述衬底相对的表面上的第二氮化物半导体；第一半导体层，所述第一半导体层部分埋入所述沟道层的与所述衬底相对的表面中，并在侧面的至少一部分与所述势垒层接触；以及第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上并且具有比所述第一半导体层高的载流子浓度。

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作者：情报员