台积电最先进制程产能争夺正式打响。全球科技巨头加速涌入2nm工艺节点，该产能已被全数预订，而先进封装供应同步收紧，凸显AI与移动芯片需求叠加对半导体供应链的持续挤压。

英伟达CEO黄仁勋1月31日晚间宴请核心供应链高管时表示，台积电今年必须全力运转，直接点出先进制程产能紧张现状。这一表态印证了业界对台积电2nm产能告急的判断。

据报道援引产业消息人士称，苹果已锁定首批2nm产能的一半以上，高通同为2026年主要客户。AMD计划2026年启动基于2nm的CPU生产，谷歌和AWS则分别瞄准2027年第三季度和第四季度导入该工艺。英伟达更将目光投向2028年，其Feynman AI GPU预计采用台积电A16工艺，该工艺集成背面供电技术。

产能紧张局面预计将持续至2027年。AI加速器与移动处理器同时争抢有限产能，而先进封装良率挑战进一步加剧供需失衡，机构投资者预计台积电CoWoS月产能2026年将同比增长超70%，但仍难以满足市场需求。

移动芯片占据首发产能，AI客户2027年大规模上量

据报道，台积电2nm和3nm工艺节点均面临产能限制，高性能计算与移动芯片正在争夺有限供给。2026年2nm客户主要为苹果和高通。据Wccftech援引消息人士称，苹果已确保首批2nm产能的一半以上。

从2027年开始，通用GPU和定制ASIC将更广泛上量。分析指出，这包括AMD的MI系列GPU、谷歌第八代TPU以及AWS的Trainium 4。产业消息人士预计，台积电2nm家族将成为生命周期较长的节点，初期产能爬坡可能超过3nm世代。

N2工艺将于2026年进入量产，N2P和A16工艺随后在下半年跟进。其中A16工艺针对需要复杂布线和高密度供电的特定高性能计算产品。

英伟达跳过2nm直奔1.6nm，押注背面供电技术

英伟达的工艺路线图显示出不同策略。据报道，该公司计划2028年推出Feynman AI GPU，预计采用台积电A16工艺，该工艺特色为背面供电技术。

A16工艺代表台积电1.6nm节点，专为高性能计算产品设计。背面供电技术将电源传输网络移至芯片背面，可改善信号完整性并提高功率传输效率，对大型AI加速器尤为关键。

这一时间表意味着英伟达可能跳过或仅小规模采用2nm工艺，直接转向更先进节点，反映出AI芯片厂商对制程技术的激进追求。

先进封装成新瓶颈，CoWoS产能增长仍追不上需求

产能紧张不仅限于晶圆代工环节。报道指出，台积电正在升级先进封装生态系统。随着AI芯片全面进入chiplet架构和超大封装尺寸时代，单芯片设计已无法满足算力需求，CoWoS-L、SoIC和混合键合技术实际上已成为标配。

据报道援引机构投资者消息，台积电目标2026年CoWoS月产能同比增长超过70%，同时逐步验证下一代技术如CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB）和CPO（共封装光学）。

但供需失衡仍是关键瓶颈。除了2nm代工产能紧张外，大规模系统级封装的良率提升是另一重大挑战。随着AI芯片封装尺寸持续扩大，维持高良率的难度显著上升，这可能进一步制约先进芯片的供应能力。