国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法”的专利，公开号CN121428669A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及晶体生长技术领域，特别是涉及一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、第一旋转升降轴和涡轮液泵套件；所述涡轮液泵套件包括导流挡板，所述导流挡板上部连接所述第一旋转升降轴，下部安装带有籽晶的籽晶托，涡轮叶片安装在所述导流挡板上，且围绕所述籽晶均匀分布，所述涡轮叶片下端的高度低于所述籽晶所在高度。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法，能够提升溶液中溶质传输的稳定性及传输效率，提高晶体长时间生长稳定性。

天眼查资料显示，北京晶格领域半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3345.6577万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶格领域半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员