国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“半导体激光器及其制备方法”的专利，公开号CN121440356A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底层沿第一方向的一侧形成下限制层；在部分下限制层背离半导体衬底层的一侧形成脊形结构，脊形结构包括在第一方向上依次层叠的下波导层、有源层、上波导层、光栅层和盖层，盖层位于光栅层背离上波导层的一侧；在下限制层背离半导体衬底层的一侧形成绝缘外延层，绝缘外延层位于脊形结构背离半导体衬底层的一侧、以及脊形结构在慢轴方向的两侧，绝缘外延层的热导率大于有源层的热导率；在绝缘外延层中形成开口，开口暴露出所述盖层，开口在慢轴方向的尺寸大于脊形结构在慢轴方向的尺寸；在开口中形成上限制层。

天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息277条，此外企业还拥有行政许可15个。

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，成立于2018年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目25次，专利信息213条，此外企业还拥有行政许可37个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员