国家知识产权局信息显示，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司申请一项名为“一种光刻垂直轮廓图形优化方法”的专利，公开号CN121443049A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开一种光刻垂直轮廓图形优化方法，属于集成电路制造技术领域，包括如下步骤：步骤S1，基板包括从下至上依次设置的衬底、薄膜、硬掩膜和光刻胶，使用光刻工艺在光刻胶上进行曝光获得图形结构；步骤S2，通过刻蚀工艺将图形结构转移至薄膜上；步骤S3，用离子束对薄膜上的图形结构进行刻蚀，以使薄膜上的图形结构的侧壁垂直于衬底；步骤S4，将光刻胶和硬掩膜去除。本发明能够将沟槽、线型图形及通孔等图形结构的侧壁结构生成垂直轮廓，并获得比较平整的表面结构，且表面缺陷少；能够满足更高精细度的需求，更好地得到设定的特征尺寸及所设计的图形结构结果，并且能够提升效率。

天眼查资料显示，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，腾云创芯半导体材料（上海）有限公司专利信息16条。

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作者：情报员