国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法”的专利，公开号CN121443051A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，层叠结构包括自下而上依次层叠设置的硅衬底、垫氧化层和硬掩膜层；第一刻蚀步：以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀垫氧化层使其图案化，以及刻蚀硅衬底的顶层形成顶开口；其中，工艺气体包括含氟气体和含氧气体；第二刻蚀步：以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀硅衬底形成浅沟槽。该工艺方法无需增加工艺步骤即可改善缺角缺陷，能够保证STI结构的简单工艺流程及高生产效率，并避免工艺步骤增加而引入杂质导致有源器件漏电的风险。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员