国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121443061A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和绝缘层；第一接触插塞，其包括穿入栅极结构而延伸第一深度的第一主要部分和连接至第一主要部分并具有呈阶梯形状的侧壁的第一延伸部分，该第一接触插塞电连接至导电层当中的第一导电层；以及第二接触插塞，其包括穿入栅极结构而延伸大于第一深度的第二深度的第二主要部分和连接至第二主要部分并且具有呈阶梯形状的侧壁的第二延伸部分，该第二接触插塞电连接至导电层当中的第二导电层，其中，第二延伸部分可以比第一延伸部分具有更大的宽度。

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作者：情报员