国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种锗外延方法、锗探测器的制备方法及锗探测器”的专利，公开号CN121428663A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种锗外延方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一个衬底，所述衬底中形成有沟槽结构；S2、在第一目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第一厚度的锗外延层；S3、在第二目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第二厚度的锗外延层，所述第二目标温度高于所述第一目标温度；S4、对所述衬底进行退火处理；S5、在所述第二目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第三厚度的锗外延层；S6、对所述衬底进行退火处理；S7、重复步骤S5和S6，直至所述锗外延层至少填满所述沟槽结构。本发明的优点在于通过调整低温和高温生长时间比例，并匹配重复退火，使外延材料再分布，同时解决高深宽比的窗口使外延过程中出现挂壁现象，实现锗吸收层的高质量外延。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目487次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息813条，此外企业还拥有行政许可46个。

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作者：情报员