我国碳基半导体制备材料研制获重要突破。

央视网快看。

再来关注由中科院院士北京大学教授彭连毛和张志勇教授带领的团队经过了多年的科研探索，在碳基半导体制备材料的研究领域取得了突破性的进展。该科研成果近日发表在国际权威学术期刊科学上。

彭连毛和张志勇教授带领科研团队通过多次提纯和维度限制自组装方法，在四英寸基底上制备出密度高达每微米一百二十根半导体纯度超过百分之九十九点九九九九的碳纳米管平行阵列，并在此基础上首次实现了性能超越同等山长硅基cmos的晶体管和电路，成功突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的瓶颈，为推动碳基集成电路的实用化和工业化奠定了基础。

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把碳纳米管做成一个可以用来加工芯片的规模的状态，这个是第一回真的实现了，之前也是一直困扰整个电子学很长时间的问题。相比传统硅基技术，碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，因此也被视作是性能更好的半导体材料。

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随着我国碳基半导体制备材料技术的突破，未来我国在半导体材料芯片集成电路领域有望具有更强的国际竞争力。只要用到芯片的地方，原则上碳芯片将来都有用。碳纳米管和人的兼容性也比较好，都是碳，它可以在任意的曲面上实现这种功能，包括未来的医疗都会有一些特别的应用场景。