来源：充电头网
充电头网第3929篇拆解报告。
前言
电源输入端设有散热风扇，电源插座和指示灯，输出端设有金手指连接器。电源内部采用双开关无桥式PFC+全桥LLC+同步整流架构，使用微芯科技控制器，并具备PMBus通信。下面就带来奥海科技这款3200W钛金牌服务器电源的拆解，一起看看内部的方案和用料。
奥海科技3200W钛金牌服务器电源外观
奥海科技3200W钛金牌服务器电源采用金属外壳，机身粘贴信息标签，左侧设有散热风扇和接地弹片。
电源机身标签特写
型号：AH-CRPS3200A1A
输入：100-127V~15A
输出：1200W MAX +12.2V ⎓ 98.4A；+12VSB ⎓ 2.1A
输入：200-220V~16A
输出：2800W MAX +12.2V ⎓ 229.6A；+12VSB ⎓ 2.1A
输入：220-240V~16A或240V ⎓ 16A（仅限中国）
输出：3200W MAX +12.2V ⎓262.3A；+12VSB ⎓ 2.1A
电源背面设有固定螺丝和接地弹片。
机身侧面设有固定卡扣。
电源输入端设有散热风扇，输入插座，脱扣把手和电源指示灯。
散热风扇设有防护板，标注Titanium和3200W输出功率。
电源交流输入端采用C20插座，脱扣把手下方设有LED指示灯。
电源模块输出端设有防护格栅和金手指小板，透过格栅可以观察到内部滤波电容和变压器。
测得电源机身长度约为201mm、
电源机身宽度约为74.1mm。
电源机身厚度约为39.5mm。
手持电源的大小直观感受。
测得电源重量约为994g。
奥海科技3200W钛金牌服务器电源拆解
看完了奥海科技这款钛金牌服务器电源的外观展示，下面就进行拆解，一起看看内部的方案和用料。
电源内部为长条状PCBA模块，输入插座直接焊接在PCB上。
PCBA模块背面设有固定螺丝孔，并设有胶垫支撑。
PCBA模块正面一览，左侧为交流输入插座，依次设有蓝色Y电容，保险丝，安规X2电容，共模电感，继电器，PTC热敏电阻。中间位置设有散热片，为PFC开关管，PFC整流管和LLC开关管散热。
左侧上方设有整流桥，PFC升压电感，谐振电感。右侧设有变压器和同步整流小板，滤波电感和滤波电容。滤波电容下方设有待机电源变压器。下方中间位置设有高压滤波电容，底部设有控制小板。
PCBA模块背面一览，右侧设有两颗整流二极管和电流采样芯片，谐振电容。下方设有驱动器和MLCC滤波电容。左侧设有输出控制管，隔离驱动器和待机电源芯片。
焊接拆下安规X2电容，整流桥，高压滤波电容，开关管，变压器和同步整流小板以及控制小板，继续进行拆解。
输入端设有电源插座，共模电感和安规X2电容。
电源插座后方设有两颗蓝色Y电容。
Y电容来自华新科，料号AH221K。
保险丝外套热缩管绝缘。
安规X2电容来自实全电子，规格为2.2μF。
共模电感采用漆包线绕制，底部设有电木板绝缘。
两颗共模电感之间设有两颗蓝色Y电容。
安规X2电容规格为3.3μF。
PCBA模块侧面设有整流桥，PFC升压电感，谐振电感和同步整流小板。
整流桥来自扬杰科技，型号GBUL2508，为低压降整流桥，规格为800V 25A，采用GBU封装。
整流二极管来自海湾电子，型号GS8J，规格为600V 8A，采用SMC封装。
电流采样芯片来自纳芯微，型号NSM2012-50B5F，量程为50A，供电电压5V，具备3kV隔离能力，采用SOP8封装。
散热片设有PFC开关管和全桥LLC开关管。
另一面设有全桥LLC开关管和PFC整流管。
PFC开关管来自英飞凌，型号IPW60R037P7，为CoolMOS P7系列，NMOS，耐压650V，导阻37mΩ，采用TO 247-3封装。
PFC整流管来自Wolfspeed，型号C6D10065A，为第六代碳化硅肖特基二极管，规格为650V 10A，采用TO-220-2封装。
驱动器来自纳芯微，型号NSi6601BD，为单通道隔离驱动器，芯片具备3kV隔离能力，绝壁5A驱动电流能力，支持3.1-17V工作电压，采用SOP8封装。
PFC升压电感采用漆包线绕制，底部设有电木板绝缘。
继电器来自中汇瑞德电子，型号A16-S-112HA2F，内置一组常开触点，触点容量为16A 250V~，线圈电压为12V。
PTC热敏电阻来自TDK，型号C750，电阻25Ω，交流耐压280V，直流耐压400V。
高压滤波电容来自NCC贵弥功，耐热105℃，规格为450V 1080μF。
MLCC电容与高压电容并联滤波。
LLC开关管来自意法半导体，型号STW75N60DM6，NMOS，耐压600V，导阻32mΩ，采用TO-247封装。
另外两颗开关管型号相同。
隔离驱动器来自纳芯微，型号NSi6602AD，芯片内置隔离双通道栅极驱动器，具备5.7KVrms隔离能力，具备4A拉电流和6A灌电流能力，采用SOW16封装。
谐振电感使用利兹线绕制，底部设有电木板绝缘。
谐振电容使用7颗NPO电容并联。
输出端设有滤波电容，滤波电容小板和变压器。
变压器焊接在同步整流小板上，变压器左侧焊接电流互感器，右侧焊接滤波电感。
小板背面设有同步整流管和MLCC电容。
变压器底部设有同步整流管。
变压器磁芯标注D2D-CRPS3200A1A型号，右侧设有塑料壳绝缘，次级采用铜片焊接。
变压器底部同步整流管特写。
另一侧也设有同步整流管。
滤波电感印有FT-CRPS2700A1A字样。
同步整流管来自英飞凌，丝印07N04LS6，型号BSC007N04LS6，NMOS，耐压40V，导阻0.7mΩ，采用TDSON-8封装。
另一组同步整流管型号相同。
同步整流管驱动器来自意法半导体，丝印834M，型号PM8834M，为双路低侧驱动器，具备4A输出能力，采用MSOP 8L-EP封装。
滤波电容来自尼吉康，规格为2700μF16V，使用3颗并联。
另一组滤波电容规格为1500μF16V，使用3颗并联。
0.1mΩ取样电阻用于输出电流检测。
对应输出控制管焊接铜块均流。
输出控制管来自富鼎先进，型号AP4086CXT，NMOS，耐压30V，导阻0.58mΩ，采用PMPAK5x6X封装。
PCB背面也设有0.1mΩ取样电阻。
输出控制管型号相同。
电压比较器来自意法半导体，丝印M393，型号LM393ST，为低功耗双路电压比较器，采用MiniSO8封装。
丝印IBTD的芯片来自芯源系统。
另一颗芯片丝印相同。
待机电源芯片来自意法半导体，为VIPER31系列，型号VIPER319H，芯片内部集成800V开关管，集成高压启动，采用电流模式控制，开关频率为132KHz，具备过负载保护，过热关闭和过压保护，采用SO16N封装。
蓝色Y电容料号为CD102M，引脚设有磁环抑制高频干扰。
整流管来自达尔，型号SBR10U200P5，为超级势垒整流器，规格为200V10A，采用PowerDI5封装。
PCBA模块侧面设有控制小板，对应光耦位置粘贴高温胶带绝缘。
焊接拆下控制小板，在小板内侧设有MLCC电容滤波。
内侧设有电压比较器，运放，光耦，存储器和二极管等元件。
PFC控制器来自微芯科技，内置16位DSPIC33F CPU，内置64KB FLASH和9KB RAM，用于开关电源和同步整流控制，采用TQFP64封装。
电压比较器采用意法半导体LM393ST。
降压芯片丝印IBTDT。
全桥LLC控制器采用微芯科技DSPIC33F CPU。
芯片外置16.000MHz时钟晶振。
存储器来自意法半导体，型号M24C02-F，容量为256字节，支持1.7-5.5V工作电压，采用SO8N封装。
另一颗存储器型号M24M01-R，容量为128KB，支持1.7-5.5V工作电压，采用SO8封装。
运放来自意法半导体，型号LM324A，为低功耗，低输入偏置电流四运放，采用TSSOP14封装。
双运放来自意法半导体，丝印K31，型号TSB572IST，是一颗低功耗36V BiCMOS运算放大器，采用MiniSO8封装。
光耦来自亿光，型号EL1019，用于初次级之间隔离通信。
小板另一面设有同型号的光耦。
亿光EL1019光耦特写。
丝印AVYV的芯片特写。
降压芯片丝印IBTD。
三颗ES3DB二极管特写。
散热风扇来自广泰永立，型号MGT4012DB-W28，规格为12V 4A，并配有静叶片。
全部拆解一览，来张全家福。
充电头网拆解总结
最后附上奥海科技3200W钛金牌服务器电源的核心器件清单，方便大家查阅。
奥海科技这款服务器电源型号为AH-CRPS3200A1A，支持100-240V交流输入和240V直流输入，电源额定输出电压为12V，输出电流262.3A，额定输出功率3200W。待机电源输出电压为12V，输出电流2.1A。电源内部设有散热风扇，从直流输出端吸入空气，交流输入端吹出散热。
充电头网通过拆解了解到，奥海科技这款电源采用微芯科技控制方案，使用两颗dsPIC33F控制器分别用于PFC和LLC控制。PFC开关管使用英飞凌IPW60R037P7，通过纳芯微NSi6601BD隔离驱动器驱动。PFC整流管使用Wolfspeed C6D10065A 碳化硅二极管。
LLC开关管采用意法半导体STW75N60DM6，通过纳芯微NSi6602AD隔离驱动器驱动。同步整流管采用英飞凌BSC007N04LS6，通过意法半导体PM8834M驱动，待机电源芯片采用意法半导体VIPER319H。电源内部高压电容来自贵弥功，输出滤波电容来自尼吉康，用料均为国际一线品牌，内部做工用料扎实。
大会预告
世界服务器电源大会由800VDC.COM主办，聚焦服务器电源前沿技术，是推动技术突破与全产业链合作的专业平台。在这里汇聚全球该产业链决策者与创新力量，引领绿色算力供电发展，是洞察趋势、深化合作、抢占产业制高点的核心选择。
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