国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体金属互连结构、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121443057A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体金属互连结构、半导体结构及其制备方法，将钴金属、钌金属及钼金属应用至半导体结构后段工艺的金属互连结构中，通过在金属互连层中将线宽不大于（即小于等于）17nm的金属互连线的主体导电层设置为钴金属互连层或钌金属互连层或钼金属互连层，将线宽大于17nm的金属互连线的主体导电层设置为铜金属互连层，实现了一种复合金属互连层设计，结合铜金属在大尺寸线宽下的优势，以及钴金属、钌金属及钼金属在小尺寸线宽下的优势，改善后段金属互连线RC延迟明显，以及提高后段金属互连线抗电迁移的能力，从而提高线路的可靠性和寿命。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目274次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息559条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员