国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体器件接触孔的制备方法”的专利，公开号CN121443059A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件接触孔的制备方法，该方法包括：提供衬底，衬底上形成半导体器件，半导体器件包括源区、漏区、形成在衬底上的预设高度的栅极及栅极侧墙，且栅极、源区、漏区的表面均形成有导电性接触层；在衬底上依次形成刻蚀阻挡层和层间介质层；对层间介质层进行第一次蚀刻，形成初始第一、第二接触孔；通过沉积工艺在初始第一、第二接触孔内形成保护层，初始第一接触孔内的保护层厚度大于初始第二接触孔内的保护层厚度；对保护层和刻蚀阻挡层进行第二次蚀刻以形成第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔底部均暴露出导电性接触层。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可180个。

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作者：情报员