国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅”的专利，公开号CN121428649A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种用于改善功率器件正向压降的单晶硅制备方法、功率器件及单晶硅，方法包括在直拉法拉制单晶硅棒时，通过控制等径过程中的拉晶参数和冷却参数，生长晶向为<111>的单晶硅棒，拉晶参数和冷却参数被配置为：能够抑制间隙氧析出形成二氧化硅沉淀，使得所生长的单晶硅中的体微缺陷密度低于预设阈值，本申请提供的方法通过合理配置拉晶参数和冷却参数，抑制了间隙氧的析出过程，减少了二氧化硅沉淀的形成，使得所生长的单晶硅中的体微缺陷密度低于预设阈值，该单晶硅运用到超快恢复二极管产品中，可以降低正向压降值VF，使得正向压降值VF处于1.3‑1.7V范围内，满足客户需求。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息372条，此外企业还拥有行政许可25个。

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作者：情报员