国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种射频引流屏蔽结构及薄膜沉积设备”的专利，公开号CN121451159A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种射频引流屏蔽结构及一种薄膜沉积设备。所述射频引流屏蔽结构包括：多个固定支柱，其第一端固定连接工艺腔室的本体，而其第二端电性连接射频匹配器，其中，所述射频匹配器输出的射频信号，经由所述工艺腔室内部的沉积组件、所述工艺腔室的本体及多个所述固定支柱，传回所述射频匹配器；以及多个屏蔽罩，可拆卸地安装于相邻的所述固定支柱之间。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息465条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员