国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN121449010A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中方法包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成覆盖铝铜合金层的保护层；在保护层上形成光刻胶层，通过曝光、显影使得光刻胶层被图案化；以图案化后的光刻胶层为掩膜对保护层和导电层进行刻蚀，以使导电层形成为导电结构且功能结构层的部分区域被暴露；对功能结构层进行刻蚀，以在功能结构层的被暴露的部分区域内形成开口；经由开口释放至少部分牺牲层；其中，保护层的材料为在释放牺牲层的过程中能够被同步去除的材料。如此，有效隔离铝铜合金层，防止其与显影液接触，进而彻底解决金属缺陷的问题。

天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目63次，专利信息155条，此外企业还拥有行政许可26个。

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作者：情报员