国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“包含SOI CMOS晶体管对的设备”的专利，公开号CN121463525A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请案涉及包含SOI CMOS晶体管对的设备。本公开的一些实施例提供一种设备，其包括：存储器单元阵列区；及包含绝缘体上硅SOI互补金属氧化物硅CMOS晶体管的外围区。所述SOI CMOS晶体管对包含半导体衬底中的掩埋氧化物BOX层，及所述BOX层上的SOI层。所述SOI层具有某一厚度，使得耗尽层在形成于所述SOI层中时填充栅极与所述BOX层之间以及源极/漏极区之间的所述SOI层。

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作者：情报员