国家知识产权局信息显示，合肥国家实验室、太原国科半导体光电研究院有限公司、深圳国际量子研究院申请一项名为“一种锑化物光泵浦薄膜激光器及其制备方法”的专利，公开号CN121461085A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种锑化物光泵浦薄膜激光器及其制备方法，属于光泵浦激光器技术领域；解决了现有锑化物光泵浦半导体激光器需要非常厚的DBR层，受限于外延生长工艺以及激光器的热管理技术造成激光器功率无法进一步提高的问题；该激光器包括共中心线的第一端镜、散热片、第二端镜，散热片上键合有作为增益介质的外延片，增益介质上照射有泵浦光，外延片的外延结构自底向上分别为：GaSb衬底、腐蚀阻挡层、填充层、多个量子阱区域和盖层；本申请的锑化物光泵浦激光器，没有DBR层，去衬底后的芯片直接键合到散热片上从而实现更加高效的一维散热，可以进一步提高激光器功率。

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作者：情报员