国家知识产权局信息显示，无锡亿思半导体有限公司申请一项名为“一种存储器及数据读写方法”的专利，公开号CN121459895A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种存储器及数据读写方法，涉及数据存储领域，写入数据时，冗余替换逻辑模块根据控制指令将失效位元对应的数据通过冗余读写电路写入，读取数据时采用冗余读写电路读出，并在输出数据时从失效位元读出的数据替换为从冗余读写电路读出的数据，从而避免失效位元对应的数据无法正常使用的情况。通过冗余替换逻辑模块和替换信息存储模块的配合实现对失效位元对应的存储数据的替换，在存储器的读写过程中直接进行替换，工作效率高，不会过多影响存储器的读写速度，控制指令不需要与存储器的正常读写过程的控制信号设置在一起，减小设计难度，整个替换过程的灵活性高，适用范围广，各种类型存储器均可使用这种设置冗余读写电路的替换方法。

天眼查资料显示，无锡亿思半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡亿思半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员