国家知识产权局信息显示，苏州英世米半导体技术有限公司申请一项名为“一种用于针管的精密多级微拉深成型工艺”的专利，公开号CN121446889A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于针管的精密多级微拉深成型工艺，包括以下步骤：坯料制备、首次微拉深、中间退火、二次微拉深、精整、切边工序。本发明通过冲压成型加工替代走心机加工，提高了加工效率，并且材料利用率增加，降低了单个零件的生产成本。通过中间退火有效消除了加工硬化，通过的拉深系数分配科学分配了变形量；通过纳米润滑将摩擦和划伤降至最低。通过模具间隙、压边力和纳米级润滑以及常规退火、分级退火和可扩展的拉深道次，满足尤其是超薄壁厚和极大高径比下的尺寸精度和极高的内表面光洁度，彻底解决了机加工固有的刀纹和变形问题。

天眼查资料显示，苏州英世米半导体技术有限公司，成立于2018年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州英世米半导体技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可5个。

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作者：情报员