国家知识产权局信息显示，北京拓彩光电科技有限公司;邯郸学院申请一项名为“具有杂环取代的蒽化合物及其有机发光二极管器件”的专利，公开号CN121449611A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种被取代了的蒽环和吡啶并吲哚环结构化合物和一种有机发光二极管(OLED)器件，更具体而言，涉及一种优异性能的被取代了的蒽环和吡啶并吲哚环结构化合物和使用该化合物的OLED器件。该有机电致发光器件具有一对电极和其间夹持的至少一层有机层。其中下述通式1通式2所示的被取代了的蒽环和吡啶并吲哚环结构化合物被用作至少一个所述的有机层的构成材料。

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作者：情报员