国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“自对准的隔离方法”的专利，公开号CN121463497A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种自对准的隔离方法。该方法包括：在衬底上形成牺牲层后，在其侧壁依次形成隔离墙和功能层；随后去除隔离墙以形成沟槽，并在沟槽内填充绝缘材料，从而在牺牲层和功能层之间形成自对准的隔离结构。在后续利用掩模刻蚀牺牲层以形成空腔时，自对准的隔离结构充当垂直刻蚀停止层，为功能层提供有效的侧向保护。本发明解决了现有技术因缺乏侧向保护而导致刻蚀工艺窗口狭窄及功能区易受损的问题，具有显著扩大工艺窗口、有效防止刻蚀缺陷、提高器件制造良率及性能的有益效果。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员