国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括互连结构的半导体封装”的专利，公开号CN121463833A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请涉及包括互连结构的半导体封装。一种半导体封装包括下互连结构。下互连结构包括下绝缘层和下互连图案。第一包封层设置在下互连结构上。提供穿透第一包封层并且连接到下互连图案的柱电极。提供设置在第一包封层内并且具有上绝缘层和上互连图案的上互连结构。下互连结构的上表面与第一包封层的最上端之间的距离大于下互连结构的上表面与上互连结构的最上端之间的距离。第二包封层设置在第一包封层上。提供设置在第二包封层内并且连接到柱电极和上互连图案的半导体芯片。

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作者：情报员