国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器架构中的多步蚀刻”的专利，公开号CN121463435A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请案涉及存储器架构中的多步蚀刻。可基于多个蚀刻操作来形成半导体装置。在所述半导体装置中形成导电材料之前，可穿过一或多个材料蚀刻第一组腔体。可穿过所述半导体装置的一组多个沟道中的第一沟道及第二沟道的至少一部分蚀刻每一第一腔体。在形成所述导电材料之后，可穿过所述第一组氧化物填充腔体的一部分及所述导电材料的一部分蚀刻一或多个第二腔体。所述一或多个第二腔体可完成将所述半导体装置划分为多个子块。

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作者：情报员