国家知识产权局信息显示，闳康科技股份有限公司申请一项名为“栅极环绕式场效晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121463476A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本发明公开一种栅极环绕式场效晶体管及其制造方法。所述栅极环绕式场效晶体管包括衬底、第一牺牲层、通道层、保护层、复合场氧化层、漏极电极与源极电极以及栅极堆栈层。第一牺牲层设置在衬底上，通道层设置在第一牺牲层上且从漏极区跨越至源极区。保护层设置在通道层上且位于漏极区及源极区中。复合场氧化层设置在保护层上且位于漏极区及源极区中，具有暴露保护层的漏极开口及源极开口。漏极电极及源极电极分别设置在漏极开口及源极开口中且电性接触保护层。栅极堆栈层设置在衬底上且位于通道区中，栅极堆栈层围绕通道层。

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作者：情报员