国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121463550A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括在衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于逻辑区域内，第二栅极结构位于像素区域内；对第一栅极结构两侧的衬底进行离子注入，以在衬底内形成第一源漏区；在衬底上形成第一阻挡层，第一阻挡层还顺形覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的外表面；对第二栅极结构两侧的衬底进行离子注入，以在衬底内形成第二源漏区；去除第一阻挡层，并至少在衬底的表面位于像素区域内的部分注入氟离子；执行第一退火工艺；在衬底上形成第二阻挡层，第二阻挡层还顺形覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的外表面。本申请能够修复衬底表面由于去除第一阻挡层时产生的损伤，同时避免第二阻挡层产生鼓包现象。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1613条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员