国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121463454A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层；狭缝结构，其延伸穿过所述栅极结构；沟道层，其延伸穿过所述栅极结构；数据存储层，其包括位于所述导电层中的每一个和所述沟道层之间的第一部分、位于所述绝缘层中的每一个和所述狭缝结构之间的第二部分、以及在水平方向上延伸以将所述第一部分和所述第二部分彼此连接的第三部分；以及隧穿图案，其分别位于所述导电层和所述沟道层之间，并且通过所述绝缘层彼此分离。

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作者：情报员