国家知识产权局信息显示，重庆联晶通半导体科技有限公司申请一项名为“一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统”的专利，公开号CN121454275A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件测试领域，具体是一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统。所述方法包括：获取工作状态下目标GaN器件表面的红外热像数据与拉曼光谱数据；基于拉曼光谱数据，计算获得微区拉曼温度数据；基于微区拉曼温度数据对红外热像数据进行超分辨增强处理，生成高分辨率融合温度场；根据所述高分辨率融合温度场，定位所述目标GaN器件的表面热点位置；基于所述高分辨率融合温度场通过反演计算所述表面热点位置对应的沟道结温。解决了现有技术中GaN器件结温测量不够准确的问题。本发明通过GaN器件红外热像与拉曼数据，计算微区拉曼温度、增强红外生成高分辨率融合温度场并反演沟道结温，提高了结温测量准确性。

天眼查资料显示，重庆联晶通半导体科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆联晶通半导体科技有限公司专利信息9条。

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作者：情报员