国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层”的专利，公开号CN121463503A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开大体上涉及一种用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层。在一实例中，半导体装置包含半导体衬底(202)、栅极氧化物层(302)、栅极电极(502)、第一源极/漏极区(802)和第二源极/漏极区(802)。所述栅极氧化物层(302)在所述半导体衬底(202)上。所述栅极氧化物层(302)具有小于或等于25埃的厚度。所述栅极氧化物层(302)包含氮且包含等于或大于20原子百分比的氮峰值浓度。所述栅极电极(502)在所述栅极氧化物层(302)上方。所述第一源极/漏极区(802)在所述半导体衬底(202)中。所述第二源极/漏极区(802)在所述半导体衬底(202)中。所述第一源极/漏极区(802)和所述第二源极/漏极区(802)在所述栅极电极(502)的相对横向侧上。

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作者：情报员