证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法”，专利申请号为CN202511613306.9，授权日为2026年2月6日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括：提供具有第一导电类型掺杂离子的基底，形成深沟槽位于基底内，形成具有第二导电类型掺杂离子的掺杂区位于深沟槽下方的部分基底内，形成金属硅化物层位于深沟槽的底部；从而可通过将在深沟槽的底部形成金属硅化物层，和在深沟槽下方的部基底内形成掺杂区的结合，达到利用金属硅化物层与导电层的功函数接近可形成欧姆接触的特性，实现导电层和金属硅化物层的导通的目的，并利用所述掺杂区可提高基底内载流子浓度，而载流子浓度提高的基底与金属硅化物层可形成欧姆接触的特性，达到实现金属硅化物层和基底的导通，亦实现导电层与基底的同型或亦型导通的目的。

今年以来晶合集成新获得专利授权56个，较去年同期增加了194.74%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1616条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。