礴添微电子取得多重深沟槽绝缘柱高导电度IGBT专利
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国家知识产权局信息显示,礴添(上海)微电子有限公司取得一项名为“多重深沟槽绝缘柱高导电度绝缘栅双极型晶体管及其制程”的专利,授权公告号CN121078741B,申请日期为2025年11月。
天眼查资料显示,礴添(上海)微电子有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1374.9994万人民币。通过天眼查大数据分析,礴添(上海)微电子有限公司专利信息3条,此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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