国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件的形成方法和半导体器件”的专利，公开号CN121487264A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成存储单元、位于存储单元上的导电线、以及位于相邻存储单元之间和相邻导电线之间的初始间隔层。然后对初始间隔层进行离子注入形成间隔层，间隔层包括第一间隔部和位于第一间隔部上的第二间隔部，第一间隔部的刻蚀速率小于第二间隔部的刻蚀速率。接着以第一间隔部为停止层对第二间隔部进行刻蚀，去除第二间隔部，形成位于相邻导电线之间的凹槽，最后凹槽内形成绝缘层。通过对初始间隔层进行离子注入形成第一间隔部和第二间隔部，因此在对第二间隔部进行刻蚀的工艺中可以以第一间隔部为停止层，从而能够控制回刻形成的凹槽的深度，提高凹槽深度的均一性，进而改善器件的失效问题。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

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作者：情报员