国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121487618A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体装置。一种半导体装置包括：基础芯片，其包括第一基础焊盘、第二基础焊盘和第三基础焊盘；以及核心芯片，其包括第一路径、第二路径以及第三路径，第一路径包括第一多个核心焊盘，第二路径包括第二多个核心焊盘，以及第三路径包括第三多个核心焊盘。第一基础焊盘电连接到第一多个核心焊盘中的一个。第二基础焊盘电连接到第二多个核心焊盘中的一个。第三基础焊盘电连接到第三多个核心焊盘中的一个。基础芯片和核心芯片被堆叠。

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作者：情报员