国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种清除高温化学气相法沉积附着物的方法及长晶设备”的专利，公开号CN121472982A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种清除高温化学气相法沉积附着物的方法及长晶设备，通过在长晶设备的轴向方向上，籽晶托以上位置，所有生长腔室的内壁通过石墨胶粘结石墨纸，使得长晶过程中产生的SiC晶体沉积物直接附着在石墨纸，后期清理沉积物时直接将石墨纸清除即可，石墨胶由石墨粉、粘结剂、溶剂组成，保证石墨纸在室温到长晶所有温度段都具有较好的粘结强度，同时在室温下条件又比较容易去除，进一步提高清理的简便性；最后本发明还提供了一种引入清除SiC沉积物方法的长晶设备，利用该设备可以低成本、高效率地清除炉腔表面富集SiC多晶杂质的问题。减少炉腔的内部刻蚀和内部管路的封堵，提升了炉腔及其内部管路的使用寿命。

天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员