国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“用于半导体结构的基于模型的测量的灵活测量模型”的专利，公开号CN121488157A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本文中呈现用于基于可重用参数模型产生复杂半导体结构的测量模型的方法及系统。在一些实施例中，所述可重用参数模型实现具有复杂形状轮廓的大高宽比(HAR)结构的测量。在这些实施例中，可重用参数模型包含各自通过不同形状轮廓表征的多个几何区段。每一形状轮廓由至少一个形状参数参数化。另一方面，所述多个几何区段中的至少一者包含多个子区段。在一些其它实施例中，所述可重用参数模型实现基于纳米线的半导体结构的测量。本文中描述的所述可重用参数模型可用于产生用于光学计量及例如软x射线计量及硬x射线计量的x射线计量两者的测量模型。所得测量模型以经改进稳健性产生更准确测量结果。

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作者：情报员