国家知识产权局信息显示，捷捷微电（南通）科技有限公司申请一项名为“一种沟槽形成方法和半导体器件”的专利，公开号CN121487517A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种沟槽形成方法和半导体器件，涉及半导体制作技术领域，包括：在半导体层上形成掩膜图案层，掩膜图案层具有露出半导体层的窗口；在氧气氛围中，采用激光以脉冲方式照射窗口内的半导体层，以在半导体层上形成氧化区，采用湿法腐蚀氧化区以在半导体层中形成沟槽。通过脉冲激光照射半导体层使得半导体层温度升高，氧气与高温的半导体层反应生成氧化层，通过湿法腐蚀去除氧化层形成沟槽，腐蚀液不会与未发生氧化反应的半导体层反应，因此，半导体层并不会受到损伤，也不再需要修复，保证了半导体层的完整性。

天眼查资料显示，捷捷微电（南通）科技有限公司，成立于2020年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本267961.97万人民币。通过天眼查大数据分析，捷捷微电（南通）科技有限公司参与招投标项目39次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员