国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“改善绝缘栅双极晶体管中接触孔与沟槽套刻对准的方法”的专利，公开号CN121487280A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善绝缘栅双极晶体管中接触孔与沟槽套刻对准的方法。该方法包括：对晶圆进行热氧化处理，在晶圆背面同步形成背面氧化膜；在进行沟槽光刻步骤之前，去除部分背面氧化膜，以控制晶圆的翘曲度至预设状态；进行沟槽光刻及刻蚀以形成沟槽；在经历至少一次热处理后，进行接触孔光刻步骤以形成接触孔。本申请通过主动调控晶圆在沟槽光刻与接触孔光刻这两个关键步骤时的翘曲状态，使其基本保持一致，从而系统性地消除了因翘曲不一致导致的套刻对准偏差。本方法能够显著提高套刻对准精度，提升器件电学性能的均匀性与工艺稳定性，进而提高产品良率。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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作者：情报员