国家知识产权局信息显示,ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法”的专利,公开号CN121487502A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,公开了用于在设置在反应室内的衬底上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法。所公开的方法包括通过采用硅前体、卤化锗前体和卤化硼掺杂剂前体的外延沉积过程选择性地沉积硼掺杂硅锗层。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法”的专利,公开号CN121487502A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,公开了用于在设置在反应室内的衬底上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法。所公开的方法包括通过采用硅前体、卤化锗前体和卤化硼掺杂剂前体的外延沉积过程选择性地沉积硼掺杂硅锗层。
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