三星电子预计于2026年2月中旬开始向英伟达交付其高带宽存储芯片HBM4，此举标志着全球首次HBM4大规模量产和出货。
三星电子已确定在2月17日农历新年假期后启动向英伟达的HBM4供应。相关信息显示，三星电子已完成英伟达HBM4的认证流程，并结合英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin平台的发布计划，敲定了具体交付时间表。
英伟达计划在3月16日至19日举办的GTC 2026大会上，展示搭载三星HBM4的下一代人工智能计算平台Vera Rubin。英伟达首席执行官黄仁勋在上个月的CES 2026展会上公开表示，Vera Rubin已全面投入生产，外界普遍预期该平台将在2026年下半年正式推出。
三星电子的HBM4性能大幅超越行业标准机构JEDEC设定的基准，被纳入英伟达下一代人工智能平台供应链。在制造工艺层面，三星在DRAM单元芯片上采用第六代10纳米级DRAM技术的1c工艺，基板芯片则使用4纳米代工工艺。依托这一工艺组合，三星HBM4的数据处理速度达到11.7千兆比特每秒，超出JEDEC 8 Gbps标准约37%，较上一代HBM3E的9.6 Gbps提升22%；单堆栈存储带宽达3 TB/s，是上一代产品的2.4倍；采用12层堆叠技术可实现36 GB容量，后续采用16层堆叠配置，容量可扩展至48 GB。
目前三星与主要竞争对手SK海力士在英伟达HBM4供应领域的竞争逐步升温。SK海力士的HBM4芯片采用该公司第五代1b DRAM工艺，搭配台积电12纳米逻辑芯片晶圆制造工艺生产基板芯片。
行业消息人士称，“三星电子拥有全球最大产能和最广泛产品线，通过率先量产性能最高的HBM4证明了其技术竞争力。基于此，公司正处于引领市场的最有利位置。”另有消息人士指出，SK海力士或可凭借更高的生产稳定性提供更大供应量，而三星则依托性能优势抢占市场先机。
市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：观察君
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