Counterpoint陈述显现，到2026年第一季度，内存价格环比上涨80%至90%，迎来前所未有的创纪录暴涨，DRAM、NAND和HBM均创下历史新高。本轮价格飙升的首要动力来源于通用服务器DRAM的急剧提价。

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爱建证券以为，获益于AI服务器继续高景气叠加iPhone等智能手机存储芯片参数晋级周期，存储职业将敞开新一轮开展周期。1）2025年四季度存储芯片进入新一轮提价周期。iPhone在2025年完成存储容量晋级后，判断其内存容量有望在2026迎来再次晋级。如此密集的继续晋级，有望助推全球存储芯片市场提价周期在2026年连续。2）DRAM可直接与中心处理器芯片交互，快速存储计算临时信息。

金融街证券以为，2025年四季度存储价格连续上涨，DDR4因供应缩短然后价格上涨，DDR5、HBM等大容量、低延迟存储芯片受AI服务器、数据中心建设需求驱动，敞开本轮存储提价和技能晋级周期。展望2026年，存储产能紧张趋势有望连续，以“两存”为代表的国产厂商扩产动力充足，看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺提高带来的价值量提高。